消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
IT酷哥 6 月 24 日消息，参考韩媒 SEDaily 当地时间本月 19 日报道和另一家韩媒 MK 的今日报道，三星电子的第六代 10 纳米级（IT酷哥注：即 1c nm）DRAM 内存工艺在设计改进等的推动下良率明显提升。
SEDaily 在报道中宣称，三星去年 1c nm 内存的良率还不到 30%，而在今年五月的性能测试中良率达到了 50%~70%；MK 则提到了 60% 以上的近期良率数据。
两家韩媒都表示，良率的明显提升是大胆的设计变更的作用，这虽然会导致量产时间的延后，但在技术层面取得了显著的改进。
由于在 HBM 市场的失利，三星电子在今年一季度将 DRAM 内存营收第一的宝座拱手让给 SK 海力士。考虑到三星的 HBM4 内存就基于 1c nm DRAM，该工艺的良率改善有望为三星重振旗鼓打下坚实基础。