铠侠计划五年内将产量翻一番，以满足 AI 数据中心对 NAND 的需求
IT酷哥 6 月 6 日消息，铠侠控股昨日召开经营方针说明会，称其计划在五年内将产能翻一番（IT酷哥注：以存储容量计算），到 2026 年生产出下一代 NAND 闪存。
铠侠表示，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，到 2029 财年将产能较 2024 财年提高一倍，以满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。
同日，该公司公布了其中长期经营计划，北上市第二生产基地大楼将于 9 月落成，并将引入新设备以提升产能，计划在 2026 年 3 月实现其销售额超过现有产品。
铠侠下一代存储器被称为“存储级存储器（SCM）”，其数据读写速度快于 NAND，与目前用于 AI 的 DRAM 相比存储容量更大，因此与 AI 芯片结合使用时可进一步提升 AI 性能。
相关阅读：
《铠侠正开发 10M IOPS 超高随机性能 XL-FLASH SSD，计划 2026H2 出样》
《BiCS8 TLC 进入企业级领域，铠侠发布 CM9 系列 PCIe 5.0 固态硬盘》
《铠侠 2024 财年营收同比增长 58.5%，第四财季营收环比上升 22.9%》